Samsung SSD 850 EVO,  500 Go - SSD Interne SATA III 2.5" - MZ-75E500B/EU

4.6
(296 commentaires)
de Samsung
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* 1 correspond à l'article le plus vendu et 5000 au 5000ème article le plus vendu.

Statistiques du classement
Classement Date
Actuel 214.00 74 mois
Le plus bas 1.00 91 mois
Moyenne 186.00
Le plus haut 377.00 75 mois
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74 mois 214.00
74 mois 300.00
74 mois 376.00
74 mois 314.00
74 mois 298.00
Description
L'architecture unique de la mémoire flash V-NAND 3D de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle. Fabriquée en empilant 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace horizontal fixe, la V-NAND 3D permet d'augmenter la densité ainsi que les performances tout en limitant son empreinte. Description du produit Samsung 850 EVO MZ-75E500 - lecteur à état solide - 500 Go - SATA 6Gb/s Type Lecteur à état solide - interne Capacité 500 Go Facteur de forme 2.5" Interface SATA 6Gb/s Débit de transfert de données 600 Mo/s Taille de la Mémoire Tampon 512 Mo Caractéristiques Self Encrypting Drive (SED), chiffrement intégral du disque (FDE), prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, cache DRAM, mode DevSleep, TCG Opal Encryption 2.0, compatible Microsoft eDrive, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), prise en charge du mode RAPIDE, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache, Samsung MGX Controller , S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667 Dimensions (LxPxH) 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm Poids 45 g Garantie du fabricant 5 ans de garantie Général Type de périphérique Lecteur à état solide - interne Capacité 500 Go Facteur de forme 2.5" Interface SATA 6Gb/s Taille de la mémoire tampon 512 Mo Caractéristiques Self Encrypting Drive (SED), chiffrement intégral du disque (FDE), prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, cache DRAM, mode DevSleep, TCG Opal Encryption 2.0, compatible Microsoft eDrive, 3D V-NAND T
Fonctionnalitées
  • Interface avec l'ordinateur : Serial ATA 6Gb/s (SATA 3)
  • Capacité : 500 Go
  • Type de mémoire Flash : TLC (Triple-Level Cell) (V-NAND 3D)
  • Contrôleur : Samsung MGX controller
  • Vitesse en lecture : 540 Mo/s et Vitesse en écriture : 520 Mo/s
  • Garantie 5 ans
  • IOPS : 90000
  • Cache: 1024 Mo
  • Format de Disque : 2.5 pouces
  • Largeur: 6,985 cm, Profondeur: 10 cm, Hauteur: 6,8 mm (0.268")
Informations complémentaires
Marque Samsung
ASIN B00P73B1E4
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